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爱游戏体育官网下载登录:英特尔请求具有选择性成长的金属栅极结构的全环栅集成电路结构的制作专利完成第二导电填充物与榜首导电填充物横向相邻

作者：爱游戏体育官网下载登录 发布时间：2026-01-15 23:14:16
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英特尔请求具有选择性成长的金属栅极结构的全环栅集成电路结构的制作专利完成第二导电填充物与榜首导电填充物横向相邻

  国家知识产权局信息数据显现，英特尔公司请求一项名为“具有选择性成长的金属栅极结构的全环栅集成电路结构的制作”的专利，公开号CN121240522A，请求日期为2025年5月。

  专利摘要显现，描绘了具有选择性成长的金属栅极结构的集成电路结构。例如，结构包含榜首笔直安置的水平纳米线或鳍状物，所述榜首笔直安置的水平纳米线或鳍状物与第二笔直安置的水平纳米线或鳍状物横向间离隔。榜首栅极堆叠于榜首笔直安置的水平纳米线或鳍状物之上，榜首栅极堆叠体具有坐落榜首栅极电介质之上的榜首导电层、以及坐落榜首导电层之上的榜首导电填充物。第二栅极堆叠于第二笔直安置的水平纳米线或鳍状物之上，第二栅极堆叠体具有坐落第二栅极电介质之上的第二导电层、以及坐落第二导电层之上和榜首导电填充物之上的第二导电填充物。第二导电填充物的一部分与榜首导电填充物横向相邻，而在其间没有第二导电层。

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